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參數資料
| 型號： | BF721T3 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩壓二極管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 301K |
| 代理商： | BF721T3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF721 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| BF747W | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BF747 | NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管) |
| BF763AMO | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BF763 | NPN 2 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BF721TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF721TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF722 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage) |
| BF722,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF722115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 250V 0.05A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BJT HIGH VOLT NPN 250V 100 |
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