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參數資料
| 型號： | BF859 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN high-voltage transistors |
| 中文描述： | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-202, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | BF859 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Dec 09
1999 Apr 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF859
NPN high-voltage transistor
handbook, halfpage
M3D067
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF861 | N-channel junction FETs |
| BF869S | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BF869 | NPN high-voltage transistors |
| BF869SA | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BF871S | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BF859A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300V 0.3A 1.8W Ebc NPN Transistor TO-202Aa |
| BF861 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FETs |
| BF861A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FETs |
| BF861A T/R | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BF861A,215 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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