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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF909AWR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 7V V(BR)DSS | 40MA I(D) | SOT-343R |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 7伏五（巴西）直| 40MA（丁）|的SOT - 343R |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 433K |
| 代理商： | BF909AWR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF990A | N-channel dual-gate MOS-FET(N溝道雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管) |
| BF997 | ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84% |
| BFC14 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 56A I(D) | SOT-227B |
| BFC15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 33A I(D) | SOT-227B |
| BFC16 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 40A I(D) | SOT-227B |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF909AWR T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF909AWR,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF909R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143 |
| BF909R,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF909R,235 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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