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參數(shù)資料
型號(hào): BF959ZL1
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-226AA
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 20V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至226AA
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大小: 55K
代理商: BF959ZL1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
October, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
BF959/D
BF959
VHF Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
20
Vdc
Collector–Base Voltage
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
3.0
Vdc
Collector Current – Continuous
100
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to
+150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
R
θ
JA
200
°
C/W
Thermal Resistance,
Junction to Case
R
θ
JC
83.3
°
C/W
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
BF959
TO–92
http://onsemi.com
TO–92
CASE 29
STYLE 21
5000 Units/Box
BF959ZL1
TO–92
2000/Ammo Pack
COLLECTOR
1
3
BASE
2
EMITTER
BF959RL1
TO–92
2000 Units/Box
MARKING DIAGRAM
BF
959
YWW
Y
W
= Year
= Work Week
3
2
1
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PDF描述
BF963 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-103
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BF964 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF964S N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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參數(shù)描述
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