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參數資料
| 型號： | BFG10W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband transistor |
| 封裝： | BFG10W/X<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,; |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | BFG10W |
DATA SHEET
Product specification
1995 Sep 22
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG10W/X
UHF power transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG10W | NPN wideband transistor |
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG10W/X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343 |
| BFG10W/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W/X,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W/X115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFG10W/XT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343 |
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