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參數(shù)資料
型號(hào): BFG197A/XR
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù): 1/13頁(yè)
文件大小: 114K
代理商: BFG197A/XR
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of November 1992
File under discrete semiconductors, SC14
1995 Sep 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG197; BFG197/X; BFG197/XR
NPN 7 GHz wideband transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
BFG197W 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
BFG197W/X 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
BFG197W/XR 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343R
BFG198 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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