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參數資料
| 型號： | BFG310XR |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 14 GHz wideband transistor |
| 中文描述： | npn型14 GHz的寬帶晶體管 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BFG310XR |
1.
Product profile
1.1 General description
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.
1.2 Features
I
High power gain
I
Low noise figure
I
High transition frequency
I
Gold metallization ensures excellent reliability
1.3 Applications
I
Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:
N
analog and digital cellular telephones
N
cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication
Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)
N
radar detectors
N
pagers
N
Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners
1.4 Quick reference data
BFG310W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
Rev. 01 — 2 February 2005
Product data sheet
Table 1:
Symbol Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
I
C
collector current (DC)
P
tot
total power dissipation
h
FE
DC current gain
Quick reference data
Conditions
open emitter
open base
Min
-
-
-
Typ
-
-
-
-
100
Max
15
6
10
60
200
Unit
V
V
mA
mW
T
sp
≤
145
°
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 3 V;
T
j
= 25
°
C
V
CB
= 5 V; f = 1 MHz;
emitter grounded
I
C
= 5 mA; V
CE
= 3 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C
[1]
-
60
C
CBS
collector-base
capacitance
transition frequency
-
0.17
0.3
pF
f
T
-
14
-
GHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BGU2003 | SiGe MMIC amplifier |
| BGY145A | VHF amplifier module |
| BGY145B | VHF amplifier module |
| BGY145C | VHF amplifier module |
| BLV45-12 | VHF power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG31115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR PNP -15V 5GHZ |
| BFG31T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | SOT-223 |
| BFG325 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325/XR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325/XR T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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