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參數資料
| 型號： | BFG410W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 22 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG410W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BFG410W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | BFG410W |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Oct 29
1998 Mar 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG410W
NPN 22 GHz wideband transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG410W | NPN 22 GHz wideband transistor |
| BFG410W | NPN 22 GHz wideband transistor |
| BFG505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG410W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG410W,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFG410W Series 4.5 V 54 mW 22 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT343R |
| BFG410W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 10mA 54mW 50 22GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG424F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 25 GHz wideband transistor |
| BFG424F T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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