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參數(shù)資料
| 型號： | BFG520XR |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管) |
| 中文描述： | 叩9GHz寬帶晶體管（npn型9G章赫茲寬帶晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | BFG520XR |
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC14
September 1995
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
NPN 9 GHz wideband transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG621 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFG67W | NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFG67X | NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG67XR | NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG93X | NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG540 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG540 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG540,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG540/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
| BFG540/X | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN bipolar RF BFG540/X 9GHz |
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