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參數資料
| 型號： | BFG93 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 6 GHz wideband transistors |
| 中文描述： | npn型6 GHz的寬帶晶體管 |
| 文件頁數： | 1/16頁 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | BFG93 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1995 Sep 25
1998 Sep 23
BFG93A; BFG93A/X
NPN 6 GHz wideband transistors
book, halfpage
M3D071
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFP196T | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFP196TR | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFP196TW | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFP619 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFP621 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG93A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFG93A,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG93A,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFG93A Series 12 V 300 mW 6 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-143B |
| BFG93A/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 6 GHz wideband transistors |
| BFG93A/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 6GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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