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參數(shù)資料
| 型號： | BFG93A |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Planar RF Transistor(射頻放大器應(yīng)用的硅NPN平面型晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN平面射頻晶體管（射頻放大器應(yīng)用的硅npn型平面型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | BFG93A |
BFG93A
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 1, 11-Nov-99
1 (4)
Document Number 85076
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
RF amplifier up to GHz range.
Features
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
13 579
2
1
4
3
94 9279
BFG93A Marking: R8
Plastic case (SOT 143)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter, 4 = Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
12
2
50
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Test Conditions
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG93A | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP181T | Silicon NPN Planar RF Transistor(低噪聲高增益放大器應(yīng)用的硅NPN平面型晶體管) |
| BFP181T | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP181TRW | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP181TW | Silicon NPN Planar RF Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG93A,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG93A,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFG93A Series 12 V 300 mW 6 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-143B |
| BFG93A/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 6 GHz wideband transistors |
| BFG93A/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 6GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG93A_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor |
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