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參數資料
| 型號： | BFP81 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA的NPN平面型晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN平面射頻晶體管（集電極電流30mA電流的npn型平面型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | BFP81 |
BFP81
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (10)
Document Number 85018
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
RF amplifier up to 2 GHz, especially for mobile tele-
phone.
Features
Small feedback capacitance
Low noise figure
High transition frequency
2
1
4
3
94 9279
BFP81 Marking: FA
Plastic case (SOT 143)
1 = Collector, 2 = Emitter, 3 = Base, 4 = Emitter
13 579–2
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
25
16
2
30
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFP81 | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP92 | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP92A | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP92AW | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP92A | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應用的NPN平面型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BFP840FESDH6327XTSA1 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF BIP TRANSISTORS RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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