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參數資料
型號: BFQ35
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-39
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 160V五(巴西)總裁| 200mA的一(c)| TO - 39封裝
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代理商: BFQ35
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PDF描述
BFQ36 TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-39
BFQ37 TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-39
BFT35A TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
BFR99 TRANSISTOR | BJT | PNP | 50MA I(C) | TO-72
BFS17A_2 NPN 3GHz wideband transistor(NPN 3G赫茲 寬頻晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
BFQ36 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-39
BFQ37 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-39
BFQ38S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
BFQ540 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband dual transistor
BFQ540,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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