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參數資料
| 型號： | BFQ81 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應用的NPN平面型晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN平面射頻晶體管（集電極電流30mA的，射頻放大器應用的npn型平面型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | BFQ81 |
BFQ81
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (10)
Document Number 85023
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
RF amplifier up to 2 GHz, especially for mobile telephone.
Features
Small feedback capacitance
Low noise figure
Low cross modulation
2
3
1
94 9280
BFQ81 Marking: RA
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581–2
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
25
16
2
30
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR181T | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應用的NPN平面型晶體管) |
| BFR181TW | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFR181T | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFR182T | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流35mA,低噪高增益放大器應用的NPN平面型晶體管) |
| BFR182T | Silicon NPN Planar RF Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFQ81-GS08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFQ82 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz. Linear broadband applications at collector currents up to 40 mA.) |
| BFQP-BNN | 制造商:Amphenol Audio 功能描述: |
| BFR | 制造商:ITT 制造商全稱:ITT Industries 功能描述:Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration |
| BFR 106 E6327 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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