型號: | BFR92AW |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | Silicon NPN Planar RF Transistor |
中文描述: | 硅NPN平面射頻晶體管 |
文件頁數: | 1/10頁 |
文件大小: | 163K |
代理商: | BFR92AW |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BFR92A | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,寬帶放大器應用的NPN平面型晶體管) |
BFR92 | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應用的NPN平面型晶體管) |
BFR93AR | Silicon NPN Planar RF Transistor |
BFR93A | Silicon NPN Planar RF Transistor |
BFR93A | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流50mA,寬帶放大器應用的NPN平面型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BFR92AW /T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFR92AW T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R |
BFR92AW,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFR92AW,135 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFR92AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |