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參數資料
| 型號： | BFS20 |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Epitaxial Planar NPN Transistor(High Frequency Application,VHF Band Amplifier Application)(外延平面NPN晶體管(高頻應用,VHF波段放大器應用)) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶體管（高頻率申請，甚高頻波段放大器的應用）（外延平面npn型晶體管（高頻應用，甚高頻波段放大器應用）） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | BFS20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS20 | NPN medium frequency transistor |
| BFS25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFS25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFS505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFS20 /T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS20 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS20,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS20,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFS20 Series 20 V 250 mW Medium Frequency NPN Transistor - SOT23 |
| BFS20,235 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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