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參數資料
| 型號： | BFT25A |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFT25A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFT25A/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-fre |
| 文件頁數： | 1/15頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | BFT25A |
1. Product profile
1.1 General description
The BFT25A is a silicon NPN transistor, primarily intended for use in RF low power
amplifiers, such as pocket telephones and paging systems with signal frequencies up
to 2 GHz.
The transistor is encapsulated in a 3-pin plastic SOT23 envelope.
1.2 Features and benefits
Low current consumption (100
A to 1 mA)
Low noise figure
Gold metallization ensures excellent reliability.
1.3 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
CBO
[1]
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
BFT25A
NPN 5 GHz wideband transistor
Rev. 5 — 12 September 2011
Product data sheet
ST3
Quick reference data
Parameter
collector-base
voltage
collector-emitter
voltage
DC collector
current
total power
dissipation
DC current gain
transition
frequency
Conditions
open emitter
Min
-
Typ
-
Max
8
Unit
V
V
CEO
open base
-
-
5
V
I
C
-
-
6.5
mA
P
tot
up to T
s
= 165
C
[1]
-
-
32
mW
h
FE
f
T
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C;
f = 500 MHz
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C;
f = 1 GHz
=
opt
; I
C
= 0.5 mA;
V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C; f = 1 GHz
=
opt
; I
C
= 1 mA;
V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C; f = 1 GHz
50
3.5
80
5
200
-
GHz
G
UM
maximum
unilateral power
gain
noise figure
-
15
-
dB
F
-
1.8
-
dB
-
2
-
dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFT25 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFT25 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFT33A | NPN SILICON TRANSISTOR |
| BFT36A | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BFT53 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFT25A T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 5V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFT25A,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 5V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFT25A_04 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFT25A215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 |
| BFT25AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 6.5MA I(C) | SOT-23 |
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