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參數資料
| 型號： | BFW43 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High Voltage Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管(高壓放大器)) |
| 中文描述： | 高電壓放大器（硅平面外延工藝進步黨晶體管（高壓放大器）） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | BFW43 |
BFW43
HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
DESCRIPTION
The BFW43 is a silicon planar epitaxial PNP
transistors in Jedec TO-18 metal case. It is
designed for use in amplifiers where high voltage
and high gain are necessary. In particular, its
feature a V
CEO
of 150V are specified over a wide
range of curent.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
November 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Parameter
Value
-150
-150
-6
-0.1
0.4
1.4
-55 to 200
200
Unit
V
V
V
A
W
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Dissipation at T
amb
≤
25
o
C
at T
case
≤
25
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
TO-18
1/5
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PDF描述 |
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參數描述 |
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