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參數資料
| 型號： | BLP1010 |
| 廠商： | 上海貝嶺股份有限公司 |
| 英文描述： | BLP1010 |
| 中文描述： | BLP1010 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | BLP1010 |
BLP1010
http://www.belling.com.cn
- 1 -
8/18/2006
Total
2 Pages
PN
結
Si
光電池
描述
工作在低頻區域的 Si 光電池，可接收波長處于峰值波長附近的光信號
。
應用
遙控電路
光纖通信
結構
芯片結構：平面 PN 型結構
電極：頂部 AlSi
外形圖和尺寸
芯片尺寸：10 mm × 10 mm
芯片厚度：300
±
25
μ
m
縱向結構
芯片結構：平面 PN 型結構
電極：AlSi
N
N
P
N
P
N
Anode
Cathode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BLP10H603Z | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BLP10H603/HVSON12/REEL7DP// - Tape and Reel |
| BLP10H605AZ | 功能描述:FET RF 2CH 104V 860MHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:860MHz 增益:22.4dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:30mA 功率 - 輸出:5W 電壓 - 額定:104V 封裝/外殼:12-VDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:12-HVSON（5x6） 標準包裝:1 |
| BLP10H605Z | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BLP10H605/HVSON12/REEL7DP// - Tape and Reel |
| BLP10H610AZ | 功能描述:FET RF 2CH 104V 860MHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:860MHz 增益:22dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:60mA 功率 - 輸出:10W 電壓 - 額定:104V 封裝/外殼:12-VDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:12-HVSON（5x6） 標準包裝:1 |
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