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參數資料
| 型號： | BLP7G10S-140 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power LDMOS transistor |
| 封裝： | BLP7G10S-140<SOT1138 (HSOP4F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1138.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 2830K |
| 代理商： | BLP7G10S-140 |
High Performance RF for
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Your partner in mobile communication
infrastructure design
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLP7G10S-140G | Power LDMOS transistor |
| BLS7G3135L-350P | LDMOS S-Band radar power transistor |
| BLS7G3135LS-350P | LDMOS S-Band radar power transistor |
| BGU7051 | SiGe:C Low Noise High Linearity Amplifier |
| BGU7052 | SiGe:C Low Noise High Linearity Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLP7G22-05Z | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BLP7G22-05/HVSON12/REEL7DP// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS 12HVSON |
| BLP7G22-10,135 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 700-2200MHz 65V 27dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLP7G22-10Z | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BLP7G22-10/HVSON12/REEL7DP// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS 12HVSON |
| BLP8G05S-200GY | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W SOT1204-2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:440MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:2mA 功率 - 輸出:210W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1204-2 供應商器件封裝:SOT1204-2 標準包裝:100 |
| BLP8G05S-200Y | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:* 零件狀態:在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:440MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:2mA 功率 - 輸出:210W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1138-2 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 |
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