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參數資料
| 型號： | BLS3135-10 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-445C, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | BLS3135-10 |
DATA SHEET
Product specification
2000 Feb 01
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLS3135-10
Microwave power transistor
M3D324
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLS3135-20 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-50 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-65 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLT11 | NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR |
| BLT13 | UHF power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLS3135-10 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-10,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-20 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| BLS3135-20 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-20,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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