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參數(shù)資料
| 型號： | BLT62 |
| 英文描述： | RF Power Transistors for UHF |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管的超高頻 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | BLT62 |
DATA SHEET
File under Discrete Semiconductors, SC08b
1996 Feb 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Line-ups
RF Power Transistors for UHF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLT72 | RF Power Transistors for UHF |
| BLW91 | RF Power Transistors for UHF |
| LG0101 | |
| LG0201 | |
| LG0301 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLT70 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLT70 T/R | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLT70,115 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLT71 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLT71/8 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
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