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參數資料
| 型號： | BLV101A |
| 英文描述： | RF Power Transistors for UHF |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管的超高頻 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | BLV101A |
DATA SHEET
File under Discrete Semiconductors, SC08b
1996 Feb 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Line-ups
RF Power Transistors for UHF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLV101B | RF Power Transistors for UHF |
| BLV103(1) | RF Power Transistors for UHF |
| BLV2045 | RF Power Transistors for UHF |
| BLV94 | RF Power Transistors for UHF |
| BLV945A | RF Power Transistors for UHF |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLV101B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF |
| BLV103 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLV103(1) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF |
| BLV108 | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLV108 |
| BLV11 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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