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參數資料
| 型號： | BLV21 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-123A, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | BLV21 |
DATA SHEET
Product specification
August 1986
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLV21
VHF power transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLV25 | VHF power transistor(VHF功率晶體管) |
| BLV33F | VHF linear power transistor(VHF線性功率晶體管) |
| BLV33 | VHF linear power transistor(VHF線性功率晶體管) |
| BLV57 | UHF Linear push-pull power transistor(UHF 線性推挽式功率晶體管) |
| BLV58 | UHF Linear push-pull power transistor(UHF 線性推挽式功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLV2347 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-486A |
| BLV25 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV297 | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| BLV2N60 | 制造商:ESTEK 制造商全稱:ESTEK 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| BLV30 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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