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參數資料
| 型號： | BLW60 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | VHF power transistor |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/15頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | BLW60 |
DATA SHEET
Product specification
March 1993
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLW60C
VHF power transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLW60C | VHF power transistor |
| BLW76 | HF/VHF power transistor |
| BLW77 | HF/VHF power transistor |
| BLW78 | HF/VHF power transistor |
| BLW80 | UHF power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLW60C | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:VHF power transistor |
| BLW75 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLW76 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLW77 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLW78 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor |
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