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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLX12 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五（巴西）總裁|甲一（c）|至5 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | BLX12 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLX16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX17 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX18 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX19 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AC |
| BLX20 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLX1288/PG85-J10 | 制造商:Shure 功能描述:DUAL CHANNEL WIRELESS SYSTEM |
| BLX13C | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLX14 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLX15 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLX16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
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