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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BPW39B |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 780NM PEAK WAVELENGTH | 100M | TO-92VAR |
| 中文描述： | 光電晶體管|叩| 780nm的峰值波長(zhǎng)| 100米|到92VAR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 390K |
| 代理商： | BPW39B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW40 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 780NM PEAK WAVELENGTH | 100M | DOME-5.0 |
| BPW42 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 830NM PEAK WAVELENGTH | 50M | LED-2B |
| BPW47A | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | TO-18 |
| BPW47B | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | TO-18 |
| BPW47C | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | TO-18 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW40 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL PHOTOTRANSISTOR |
| BPW41 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PIN Photodiode |
| BPW41D | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:INFRA-RED PHOTODETECTOR |
| BPW41N | 功能描述:光電二極管 60V 215mW 950nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長(zhǎng):565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| BPW41N | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTODIODE IR FILTERED |
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