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參數資料
| 型號： | BR100C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五（巴西）總裁| 10A條一（c）|至210AA |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | BR100C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR100E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
| BR100F | Schottky Barrier Diodes |
| BR101A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BR101C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA |
| BR101E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BR100E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
| BR100F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
| BR100LLD | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Bi-directional Trigger Device |
| BR100WS | 制造商:GARVIN 功能描述:Bridle Rng 1 Wood Screw Thrd |
| BR101 | 功能描述:橋式整流器 10A 100V RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
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