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參數資料
| 型號： | BR258 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| 中文描述： | 25 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BR-25, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | BR258 |
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 25 Amperes
RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
FEATURES
* Superior thermal desing
* 300 amperes surge rating
* 1/4
* Hole thru for # 8 screw
universal faston terminal
* UL listed the recognized component directory, file #E94233
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
BR2505
THRU
BR2510
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
NOTE: Suffix ”W” for wire type
BR-25
BR-25W
2001-5
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
DC
I
O
I
FSM
T
J,
T
STG
V
RMS
Volts
Volts
Amps
25.0
300
-55 to + 175
0
C
UNITS
Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 55
o
C
50
200
400
100
600
800
1000
35
140
280
70
420
560
700
50
200
400
100
600
800
1000
Volts
Amps
BR2505
BR152
BR254
BR251
BR256
BR258
BR2510
DC Blocking Voltage per element
CHARACTERISTICS
V
F
SYMBOL
I
R
UNITS
1.1
0.5
mAmps
uAmps
Maximum Reverse Current at Rated
Maximum Forward Voltage Drop per element at 12.5A DC
Volts
@T
A
= 25
o
C
@T
C
= 100
o
C
10
BR2505
BR252
BR254
BR251
BR256
BR258
BR2510
MECHANICAL DATA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR251 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| BR2510 | SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| BR254 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| BR256 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| BR258 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BR258066A | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:BLOCK, MODULAR,X-CONN,12-8POS 568B JK |
| BR258L | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| BR258W | 功能描述:橋式整流器 25A 800V-Wire Leads RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| BR25A1MF-3MGE2 | 功能描述:IC EEPROM 1MB SPI BUS SOP8 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1M（128K x 8） 速度:10MHz 接口:SPI 串行 電壓 - 電源:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 |
| BR25A1MFJ-3MGE2 | 功能描述:IC EEPROM 1MB SPI BUS SOP-J8 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1M（128K x 8） 速度:10MHz 接口:SPI 串行 電壓 - 電源:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP-J 標準包裝:1 |
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