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參數資料
| 型號： | BSM100GAL100D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 100號A一（c） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 339K |
| 代理商： | BSM100GAL100D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM100GB170DLC | IGBT Module |
| BSM100GB60DLC | IGBT Module |
| BSM100GD120DN2V2 | IGBT Module |
| BSM100GD60DLC | IGBT Module |
| BSM10GD100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 10A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM100GAL120DLCK | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM100GAL120DLCK, | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSM100GAL120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM100GAR120DN2 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BSM100GB100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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