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參數資料
| 型號： | BSM100GB120DLCK |
| 英文描述： | Avalanche Rectifier Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | BSM100GB120DLCK |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BSM30GD60DN2E3224 | High Efficient Rectifier Diodes |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BSM100GB120DN2_E3254 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM100GB120DN2_E3256 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM100GB120DN2E3256 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT POWER MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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