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參數資料
| 型號： | BSM141 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 400V五（巴西）直|第60A條（?。?/td> |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | BSM141 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM150GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| BSM151FR | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 56A I(D) |
| BSM151R | Avalanche Fast Recovery Rectifier Diodes |
| BSM15GD100D | Avalanche Fast Recovery Rectifier Diodes |
| BSM15GD120D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM150GAL100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| BSM150GAL120DLC | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 150A CHOPPER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BSM150GAL120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM150GAL120DN2E3166 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes) |
| BSM150GAR120DN2 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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