- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369499 > BSM150GB160D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 200A I(C) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSM150GB160D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.6KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 200安培我（丙） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | BSM150GB160D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM150GB170DLC | IGBT Module |
| BSM150GD60DLC | IGBT Module |
| BSM150GXL120DN2 | IGBT Module |
| BSM150GXR120DN2 | IGBT Module |
| BSM151(C) | Avalanche Fast Recovery Rectifier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM150GB170DL | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM150GB170DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1700V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM150GB170DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1700V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM150GB170DN2_E3166 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 220A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM150GB170DN2_E3166c-Se | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。