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參數(shù)資料
| 型號： | BSM200GAL120DLC |
| 英文描述： | High Efficient Rectifier Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | BSM200GAL120DLC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM200GD60DLC | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM300GA170DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM20GD60DLCE3224 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM20GD60DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM20GP602 | IGBT Module |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM200GAL120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GAR120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAR CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GB120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes) |
| BSM200GB120DL | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes) |
| BSM200GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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