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參數資料
| 型號： | BSM25GD120DLCE3224 |
| 英文描述： | High Efficient Rectifier Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | BSM25GD120DLCE3224 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM30GD60DLCE3224 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM300GA100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) |
| BSM300GA120D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
| BSM300GA120DN2 | IGBT Module |
| BSM300GA120DN2S | High Efficient Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM25GD120DLCE3224XXX | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSM25GD120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 25A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM25GD120DN2E3224 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM25GP120 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM25GP120_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1600V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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