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參數資料
| 型號： | BSM30GD60DN2 |
| 英文描述： | High Efficient Rectifier Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 30A條一（c） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | BSM30GD60DN2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM400GA120DN2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 550A I(C) |
| BSM244F | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 400V V(BR)DSS | 45A I(D) |
| BSM252F | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) |
| BSM25GP120 | IGBT Module |
| BSM282F | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 11A I(D) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM30GD60DN2E3224 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C) |
| BSM30GP60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM30GP60_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1600V 30A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM30GP602 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| BSM35GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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