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參數資料

型號：	BSM50GB100D
英文描述：	High Voltage Rectifer Diodes
中文描述：	晶體管\| IGBT功率模塊\|半橋\| 1KV交五（巴西）國際消費電子展\| 50A條一（c）
文件頁數：	1/8頁
文件大小：	335K
代理商：	BSM50GB100D

相關PDF資料	PDF描述
BSM50GB120D	High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB160D	High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GP60	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
BSM75GB120D	High Voltage Rectifer Diodes
BSM75GAL100D	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)CES \| 75A I(C)

相關代理商/技術參數	參數描述
BSM50GB120D	制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM50GB120DLC	功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB120DN2	功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB160D	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.6KV V(BR)CES \| 70A I(C)
BSM50GB170DN2	功能描述:IGBT 模塊 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:

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