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參數資料
| 型號： | BSM75GD120DLC |
| 英文描述： | High Voltage Rectifer Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BSM75GD120DLC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM75GD60DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GP60 | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSN10AMO | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSN10 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
| BSN10A | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM75GD120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GD170DL | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM75GD60DLC | 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GP60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM-8S 5700.2 | 制造商:ALTECH CORP 功能描述:Conn; Term Blk; Comp.Carrier;CCA;250V;6A;22-12 AWG;24 Pole;NoSolderPosts;124mm L |
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