型號: | BSO040N03MS G |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 16A DSO-8 |
標準包裝: | 2,500 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 16A |
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 4 毫歐 @ 20A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5700pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.56W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商設備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |
其它名稱: | SP000446070 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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KSL1M410 | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V |
KSL1M210 | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V |
3296X-1-502LF | TRIMMER 5K OHM 0.5W TH |
530CA40M0000BG | SMD CRYSTL OSCILLATOR 40MHZ 3.3V |
EP12FPD1ABE | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BSO051N03MS G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSO051N03MSG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSO051N03MSGXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin DSO T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A DSO-8 |
BSO052N03S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |