型號: | BSO207P H |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 |
標準包裝: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 個 P 溝道(雙) |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 5A |
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 45 毫歐 @ 5.7A,4.5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 44µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1650pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.6W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商設備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 標準包裝 |
其它名稱: | BSO207P HDKR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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445W31H13M00000 | CRYSTAL 13.000000 MHZ 32PF SMD |
445W31H12M00000 | CRYSTAL 12.000000 MHZ 32PF SMD |
445W31G30M00000 | CRYSTAL 30.000000 MHZ 30PF SMD |
34ADP16T2M2RT | TOG MINI DPDT O-N-O N PC LF |
NTHD4102PT1G | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BSO207PHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 |
BSO207PHXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin DSO Dry 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 |
BSO207PNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.7A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC |
BSO211P | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel -20 V -4.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSO211P H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |