型號: | BSO303P H |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8 |
標準包裝: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 個 P 溝道(雙) |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 7A |
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 21 毫歐 @ 8.2A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 100µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2678pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商設備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 標準包裝 |
其它名稱: | BSO303P HDKR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BSO303PT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:OPTIMOS-P -30V RON=21MW 8.2A L |
BSO303SP | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |