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參數資料
| 型號： | BSO315C |
| 英文描述： | Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | ？SIPMOS。互補。 30V的。 SO - 8封裝。導通狀態（N / P系列）\u003d 0.11/0.25Ohm。編號（北）\u003d 3.4A。編號（規劃）\u003d - 2.3a作出。當地雇員？ |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | BSO315C |
1999-09-22
Page 1
Preliminary data
BSO 315 C
SIPMOS
Small-Signal-Transistor
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state
resistance
N
30
0.11
P
V
DS
R
DS(on)
-30
0.25
V
Continuous drain current
I
D
3.4
-2.3
A
Features
Dual N- and P -Channel
Enhancement mode
Logic Level
Avalanche rated
dvdt rated
Type
BSO 315 C
Package
SO 8
Ordering Code
Q67041-S4014
Maximum Ratings
,at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
N
P
Continuous drain current
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Pulsed drain current
T
A
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 2.9 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
I
D
= -1.8 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dvdt, T
jmax
= 150 °C
I
S
= 2.9 A,
V
DS
= 24 ,
didt
= 200 A/μs
I
S
= -1.8 A,
V
DS
= -24 ,
didt
= -200 A/μs
Gate source voltage
Power dissipation
T
A
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
I
D
3.4
2.7
-2.3
-1.8
A
I
D puls
11.6
-7.2
E
AS
25
-
-
35
mJ
E
AR
dvdt
0.2
6
-
0.2
-
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
2
±20
2
V
W
T
j ,
T
stg
-55...+150
55/150/56
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP090 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP106 | INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15% |
| BSP107 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP108 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP120 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSO330N02K G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 20V 6.5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSO330N02KG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| BSO330N02KGFUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8 |
| BSO350N03 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSO350N03FUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8 |
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