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參數資料
| 型號： | BSO4822 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Small-Signal-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS小信號晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | BSO4822 |
2002-01-28
Page 1
Preliminary data
BSO4822
OptiMOS
Small-Signal-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
10
12.7
V
m
A
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
150°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
Ideal for fast switching applications
Type
BSO4822
Package
SO 8
Ordering Code
Q67042-S4095
Marking
4822
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol
I
D
Value
12.7
10.2
Unit
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Pulsed drain current
T
A
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
51
I
D
=12.7 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
165
mJ
I
S
=12.7A,
V
DS
=24V, d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=150°C
Gate source voltage
Power dissipation
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
2.5
V
W
T
A
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
stg
-55... +150
55/150/56
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP75G | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSP75GTA | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSP75GTC | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSR17A | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSR19A | NPN high voltage transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSO4822HUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC |
| BSO4822T | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BSO500N15NS3 G | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSO500N15NS3GXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS |
| BSO604NS2 | 功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANSITR DUAL N-CH ENH MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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