型號(hào): | BSO612CV G |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
其它圖紙: | SO-8 Dual |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | SIPMOS® |
FET 型: | N 和 P 溝道 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3A,2A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 120 毫歐 @ 3A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 20µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 340pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁面: | 1619 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱: | BSO612CVGINDKR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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M2027TXG30 | SWITCH ROCKER SP3T 0.4VA 28V |
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2641LH/2A23621L220V | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
2641LH/2A23628L220V | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSO612CVGHUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
BSO612CVNT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin SO |
BSO612CVT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO T/R |
BSO613SPV | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
BSO613SPV G | 功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |