型號: | BSO615C G |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
標準包裝: | 1 |
系列: | SIPMOS® |
FET 型: | N 和 P 溝道 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 3.1A,2A |
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 110 毫歐 @ 3.1A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 20µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 380pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商設備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 標準包裝 |
其它名稱: | BSO615CINDKR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BSO615NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 2.6A Logic SOIC8 |