- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄369501 > BSP16T3 TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSP16T3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 300V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|的SOT - 223 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | BSP16T3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP16 | PNP high-voltage transistor |
| BSP16 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP16TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP16TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP17 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| BSP170 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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