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參數(shù)資料
| 型號： | BSP255 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 0.325 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | BSP255 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Jun 13
File under Discrete Semiconductors, SC07
1996 Aug 05
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSP255
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS92 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSS92 | P-Channel 200-V (D-S) MOSFETs |
| BSV52L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BSV52 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSV62SMD05 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | SMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP280 | 制造商:Siemens 功能描述: |
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| BSP295 L6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSP295 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223 |
| BSP295_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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