- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369501 > BSP304 (NXP SEMICONDUCTORS) P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BSP304 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管) |
| 中文描述： | 170 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BSP304 |
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
1995 Apr 07
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Philips Semiconductors
BSP304; BSP304A
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistors
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP304A | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管) |
| BSP308 | ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ? |
| BSP30 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| BSP30 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSP317Q67000-S94 | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSP304A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
| BSP304A AMO | 功能描述:MOSFET VDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSP304A,126 | 功能描述:MOSFET VDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSP304T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 170MA I(D) | TO-92VAR |
| BSP308 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ? |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。