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參數資料
型號: BSP318
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 2.6AI(四)|的SOT - 223
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 116K
代理商: BSP318
Data Sheet
1
05.99
SIPMOS
Small-Signal Transistor
P channel
Enhancement mode
Logic Level
V
GS(th)
= -0.8...-2.0 V
Pin 1
Pin 2
Pin 3
Pin 4
G
D
S
D
Type
V
DS
-200 V
I
D
-0.37 A
R
DS(on)
6
Package
Marking
BSP 317
SOT-223
Type
BSP 317
Ordering Code
Q67000-S94
Tape and Reel Information
E6327
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Drain source voltage
V
DS
V
DGR
-200
V
Drain-gate voltage
R
GS
= 20 k
Gate source voltage
-200
±
20
V
GS
I
D
Continuous drain current
T
A
= 25 C
DC drain current, pulsed
-0.37
A
T
A
= 25 C
Power dissipation
I
Dpuls
-1.48
T
A
= 25 C
P
tot
1.8
W
BSP 317
相關PDF資料
PDF描述
BSP31 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP31 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSPD25N06S2-40 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA
BSPD30N08S2-22 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
BSPE100XL240V JIGSAW
相關代理商/技術參數
參數描述
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BSP318S E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSP318S L6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP318S 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223
BSP318S_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
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