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參數資料
| 型號： | BSP32 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 中功率功率放大器 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BSP32 |
BSP30/31
BSP32/33
MEDIUM POWER AMPLIFIER
ADVANCE DATA
I
SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP
TRANSISTORS
I
MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR
APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
I
GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED
FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL
APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER
OUTPUT STAGE
I
NPN COMPLEMENTS ARE BSP40, BSP41,
BSP42 AND BSP43 RESPECTIVELY
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
October 1995
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BSP30/BSP31
-70
-60
-70
BSP32/BSP33
-90
-80
-90
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Collector-Emitter Voltage (R
BE
= 1K
)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
-5
-1
-0.1
2
-65 to 150
150
1
2
2
3
SOT-223
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP32 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSP40 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| BSP41 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| BSP43 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| BSP43 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSP-32 | 制造商:Cherry Aerospace 功能描述: |
| BSP32 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP32,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP32/T1 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSP320 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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